来源 :半导体芯闻2024-01-04
澜起科技今天宣布，推出DDR5第四子代寄存时钟驱动器芯片（DDR5 RCD04），该芯片支持高达7200 MT/s的数据速率，较DDR5第一子代RCD速率提升50%，以应对新一代服务器平台对内存速率和带宽不断攀升的需求。
作为内存接口技术的领导者，澜起科技在全球微电子行业标准制定机构JEDEC中牵头制定DDR5 RCD芯片国际标准，并保持高水平研发投入，持续对产品进行迭代升级。自2021年发布DDR5第一子代内存接口及模组配套芯片后，澜起科技又相继于2022年、2023年成功发布了DDR5第二子代、第三子代RCD芯片。
通过不断升级打磨产品和技术，澜起科技于近期在DDR5第四子代RCD芯片的研发上再次取得成功，进一步巩固了公司在内存接口芯片领域的领先地位。目前，澜起科技已将DDR5 RCD04工程样片送样给主要内存厂商，助力客户进行新一代内存产品研发。
澜起科技总裁Stephen Tai先生表示：「RCD芯片是内存模组的核心组件，是CPU与内存之间进行数据交互的重要通道。随着人工智能、机器学习等应用飞速发展，不断增长的CPU算力对内存性能的要求日益增长。澜起科技最新的DDR5 RCD04芯片可助力服务器系统突破性能瓶颈，为要求苛刻的工作负载提供关键支持。」
除了RCD芯片以外，澜起科技还提供DDR5数据缓冲器（DB）、串行检测集线器（SPD Hub）、温度传感器（TS）、电源管理芯片（PMIC）等内存接口及模组配套芯片。这些芯片也是DDR5内存模组的重要组件，可配合RCD芯片为DDR5内存模组提供多种必不可少的功能和特性。
其实在澜起科技发布芯片的同时，Rambus也更新了其产品线。
Rambus更新RCD芯片
近日，Rambus 推出了用于服务器级 DDR5 内存模块的第四代注册时钟驱动器(RCD)芯片。更新后的 RCD 芯片支持 DDR5 RDIMM 上更高的时钟速度，使未来的 RDIMM 能够以与 DDR5-7200 一样快的速度运行，比当前的第三代/DDR5-6400 RCD 领先一步。更快的 DDR5 RDIMM 最终将与即将推出的服务器平台齐头并进，AMD、英特尔和其他公司都希望为其下一轮产品提供更高的内存速度。
RCD 充当 RDIMM 中内存控制器和 DRAM 芯片之间的缓冲区，在整个模块中重新分配命令和地址信号，并构成“注册 DIMM”中的“注册”信号。这增强了信号完整性，并使更多存储设备能够连接到单个 DRAM 通道。才能正常工作。RCD 必须支持特定的数据传输速率，因此 Rambus 的新 RCD 缓冲区将使内存供应商能够构建服务器级 DDR5-7200 模块。
除了执行 RCD 的常规功能外，新的 Rambus 芯片还包含串行存在检测(SPD)集线器和温度传感器，这对于通用 DDR5 内存条，特别是 DDR5 数据中心内存模块至关重要。此类功能在一定程度上降低了数据中心级 DRAM 内存条的成本，尽管此类设备的成本取决于存储设备的数量，而不是 SPD 和温度传感器等微型芯片。
RCD 对于当代服务器级内存模块至关重要，因为这些设备只能通过带寄存器的 DIMM 达到其全部内存容量。Rambus 是第一家正式推出支持 7200 MT/s 数据传输速率的 DDR5 RCD 的公司，这对于下一代服务器平台将非常有用。
据 Rambus 称，他们最新的 RCD 芯片现已发货。尽管由于验证要求，服务器和服务器部件的交付周期较长，但它可能还需要一段时间才能开始出现在商用服务器和 DIMM 中。