新洁能250V超快反向恢复SGT MOSFET产品介绍

　　在通信、电机控制、工业电源等硬开关应用场景中，功率MOSFET的反向恢复特性对系统效率及可靠性有着重要影响。功率MOSFET反向恢复电荷大，将导致系统效率低、电压尖峰高等一系列问题，制约系统朝向高性能、高可靠性的进一步发展。新洁能推出具有超快反向恢复特性的250V SGT 功率MOSFET NCEP025S90T，相比上代产品显著降低了反向恢复电荷，为高性能、高可靠性要求的硬开关应用提供更优选择。

　　核心优势

　　1、超低反向恢复电荷Qrr

　　超快反向恢复SGT平台产品 NCEP025S90T与通用平台产品 NCEP02590T 体二极管反向恢复对比测试如表1。NCEP025S90T的Trr为67ns，相对NCEP02590T降低约58.9%；Qrr为178nC，相对降低约86%。更低的Qrr将有效减小硬开关系统中的过冲电压，简化缓冲电路设计，优化系统成本。

　　表1：NCEP025S90T与 NCEP02590T 反向恢复对比测试结果

　　图1：NCEP025S90T与 NCEP02590T 反向恢复对比测试波形

　　2、更宽RRSOA（反向恢复安全工作区）

　　反向恢复安全工作区是衡量MOSFET体二极管动态续流能力的重要指标。实验采用双脉冲电路进行测试，测试电路图和测试平台实物图如图2、图3所示。测试方法为，开关管Q1和续流管Q2分别同时更换为NCEP025S90T和NCEP02590T进行测试，测试过程中逐次增加Vgs脉冲宽度T1，T2时期的续流管电流随之增大，在T3上升沿到来时，续流管进入反向恢复阶段，若此时续流管电流达到其反向恢复能力上限，则续流管发生损坏。记录每次测试T2时期的续流管电流ISD以及续流管能否顺利通过测试，最终测试结果如表2，结果表明NCEP025S90T相比NCEP02590T反向恢复安全区提升5倍以上。

　　注：蓝色字体数值为设备电流能力上限，非MOS管过流能力上限

　　表2：NCEP025S90T与 NCEP02590T RRSOA对比测试结果

　　图2：双脉冲测试电路图

　　图3：双脉冲测试平台实物图

　　基本特性

　　NCEP025S90T相比NCEP02590T其它动静态电性参数基本匹配，详细对比结果如表3。