新洁能：公司具备独立的MOSFET和IGBT芯片设计能力和自主的工艺技术平台

　　新洁能(605111)您好，作为贵公司的一名小股东，听闻贵公司曾为中国半导体功率器件十强企业，近年来什么原因导致排名下滑，对标斯达半导，股价不理想，固然众多原因，可否这里谈下公司在研发创新对比上的优劣，谢谢！

　　投资者您好！自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的MOSFET和IGBT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司拥有135项专利，其中发明专利36项，发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与MOSFET、IGBT、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文13篇，其中SCI收录论文7篇，不断提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，缩小了与国际一流半导体功率器件企业的技术差距。公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端MOSFET、IGBT的研发和产业化，在已推出先进的超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET和超薄晶圆IGBT数款产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司目前亦率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，新增开发多款模块产品及功率IC产品以不断丰富产品品类；并进一步提前布局半导体功率器件最先进的技术领域，开展对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。感谢您的关注。