来源 :兆易创新GigaDevice2023-10-12
近日，第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会在深圳隆重开启。兆易创新存储器事业部产品市场经理张静受邀出席，以“持续开拓，兆易新一代存储产品助力行业创新”为题，分享了兆易创新在嵌入式存储器领域的广泛布局，以及面向产业技术变革浪潮的创新思考，共同探讨“半导体产业波动周期”下的存储器市场发展趋势。
GD Flash的开拓之路：
十四载达成212亿颗出货成就
众所周知，Flash是一种非易失性的存储器，在断电和掉电的情况下，存储的内容不会发生丢失，是绝大多数电子系统必备的元器件。作为一家以存储器为起点的公司，兆易创新从2009年推出国内第一颗SPI NOR Flash，经过多年的产品研发和市场拓展，目前Flash产品的累计出货量已经超过212亿颗，且市场占有率稳步提升。
“十年前，Flash的应用场景是U盘、DVD、液晶电视等消费产品；十年后，汽车、工业、物联网、5G通信等领域成为了Flash的热门应用场景。”张静在演讲环节表示：“紧随技术变革的步伐，兆易创新Flash持续引领突破，现已提供27大产品系列、16种产品容量、4个电压范围、7款温度规格和29种封装方式的产品家族，覆盖了几乎所有需要存储代码的应用场景。”
现场展示的兆易创新存储器产品
那么，开发者如何挑选合适的Flash产品呢？张静从不同应用对Flash容量、读取性能、封装等几个角度进行了解读。
在容量上，针对不同应用与系统复杂程度，不同的嵌入式系统存储代码所需的Flash容量差别很大，例如消费电子所需Flash容量在512Kb~4Gb，而物联网设备所需Flash容量为1Mb~256Mb。目前，兆易创新NOR Flash系列提供从512Kb至2Gb容量范围，其中512Mb、1Gb、2Gb的大容量SPI NOR Flash产品更是填补了国产NOR Flash的空白；SLC NAND Flash系列提供1Gb至8Gb容量范围，赋能消费电子、PC周边、网络通信、汽车/工业等领域对于大容量存储数据的需求。
在性能上，兆易创新GD25T/LT系列是业界首款超高性能、超高可靠性的车规级4口SPI NOR Flash产品，数据吞吐量高达200MB/s，内置ECC算法和CRC校验功能，可以满足车载应用的严苛要求。GD25X/LX系列则进一步拓展，是8口SPI NOR Flash产品，数据吞吐量可以达到400MB/s，实现了业界超高水平的产品性能，赋能广泛的汽车电子应用。
在封装上，兆易创新更是存储行业的引领者，例如在64Mb容量上，兆易创新推出了业界超小尺寸的3 x 2 x 0.4 mm FO-USON8封装产品，与传统3 x 2 mm USON8封装完全兼容，而传统3 x 2 USON8封装的最大可支持容量是32Mb。这意味着开发者无需改动PCB，仅仅换一颗兆易创新FO-USON8封装的Flash即可实现容量翻倍。不仅如此，今年5月兆易创新重磅推出采用3 x 3 x 0.4 mm FO-USON8封装的GD25LE128EXH芯片，这是目前业界在128Mb容量上能实现的最小塑封封装产品，与传统3 x 4 mm USON8封装完全兼容，而传统3 x 4 mm USON8封装的最大支持容量是64Mb，开发者无需改动PCB，换上GD25LE128EXH芯片便可实现容量翻倍，能够很好地满足可穿戴电子产品对“轻、薄、小”的追求。
探索先进制程SoC的高能效应用
1.2V超低电压Flash为绿碳贡献力量
随着双碳理念的发展，高能效、低功耗的应用需求在半导体领域愈发凸显。与此同时，移动设备、云计算、汽车电子、可穿戴等应用的SoC主芯片也在走向7nm及以下的先进工艺制程；一般而言，制程节点越先进，SoC主芯片性能越高、功耗越低。此时，SoC的核心供电电压也降到了1.2V，若使用常规1.8V的NOR Flash，外围电路设计将变得复杂，产品开发难度也会提升。
如下图所示，左侧的方案是核心电压1.2V的SoC与1.8V的NOR Flash进行通信，SoC设计需要增加升压电路，将内部1.2V电压提升至1.8V，才能匹配外部NOR Flash的1.8V电压水平，这显然增加了电路设计的复杂度和提升了整体的功耗。右侧的方案则是NOR Flash核心供电和IO接口供电电压均为1.2V，与SoC核心电压1.2V保持一致，这样可以简化电源设计、SoC省去升压电路，并且降低系统功耗。
应对这一趋势，兆易创新推出了1.2V SPI NOR Flash——GD25UF产品系列，在1.2V工作电压下的数据传输速度、读写功耗等关键指标上均达到国际领先水平，可以轻松适配核心电压1.2V的先进制程SoC。同时，相比1.8V NOR Flash，1.2V GD25UF系列在Normal模式下，相同电流情况下的功耗降低33%；在Low Power模式下，相同频率下的功耗更是降低70%。这些出色的特性使得GD25UF系列成为了下一代可穿戴和可移动设备的优先之选。
另外针对于高性能低功耗的双重需求，兆易创新提出了核心供电1.8V、IO接口电压1.2V的NOR Flash解决方案——GD25NF产品系列。这款产品为先进制程SoC的电路设计提供了新的解决方案：Flash的IO接口电压为1.2V，核心电压1.2V的SoC与其通信无需增加升压电路，简化了SoC电路设计；Flash的核心供电为1.8V，可以保持超高读取和擦写性能，而整体来看，读取功耗相比常规1.8V方案最多可以降低40%。因此该方案也受到了集成商、OEM的广泛关注，目前GD25NF产品系列正处于送样阶段。
作为嵌入式存储的领导者，兆易创新不仅在容量、性能、封装、电压等关键要素发力，也持续聚焦存储器至关重要的可靠性、安全性等诸多方面，使得新一代存储芯片能够满足千行百业的应用需求，助力行业加速创新。
在研讨会同期，E维智库首届“年度硬科技产业纵横奖”评选活动及颁奖典礼圆满举行，兆易创新GigaDevice荣获“中国技术开拓奖”以及“‘E’马当先新品奖”两座奖杯！Cheers！