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兆易创新(603986)内幕信息消息披露
 
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高光时刻 | 2021全球电子成就奖揭晓 兆易创新再添两项桂冠

http://www.chaguwang.cn  2021-11-03  兆易创新内幕信息

来源 :兆易创新GigaDevice2021-11-03

  兆易创新又双叒叕捧回大奖了!今天,在众“芯”云集的ASPENCORE“全球双峰会暨全球电子成就奖颁奖典礼”上,兆易创新旗下SPI NOR Flash GD25LT系列赢得“年度存储器”产品奖;基于Arm Cortex-M23内核的GD32E230系列32位通用MCU,斩获“年度微控制器/接口”产品奖。

  “全球电子成就奖”由电子技术领域最大媒体集团ASPENCORE主办,旨在聚焦领先科技,推动全球范围内的电子产业技术革新。

  整个评选历时数月,需经过申报、提名、网上投票、全球专家评审等层层筛选。能获得全球电子成就奖的表彰,是一项备受认可的荣誉,充分体现了该技术或产品在业界的领先地位与不凡表现。

  兆易创新作为领先的Fabless芯片供应商,已经连续多年荣登该榜单,自主创新能力、产品技术实力屡获称赞。

  

  GD25LT系列

  荣获“年度存储器”奖

  

  本次荣获“年度存储器”奖的GD25LT系列,是业界首款超高速4通道SPI NOR Flash产品,最高时钟频率可达200MHz,数据吞吐率高达200MB/s,是现有产品的3倍以上。

  该系列内置了ECC算法与CRC校验功能,在提高可靠性的同时延长产品使用寿命,DQS和DLP功能为高速系统设计提供了保障。作为业内最高性能的NOR Flash解决方案,GD25LT系列主要面向车载、人工智能、物联网等需要将大容量代码快速读取、保证系统上电后及时响应的场景,现已广泛应用于自动驾驶辅助系统、车载摄像头、智能网关、仪表等领域。

  

  

  GD32E230系列

  荣获“年度微控制器/接口”产品奖

  

  斩获“年度微控制器/接口”产品奖的GD32E230系列,作为GD32 MCU家族基于Cortex?-M23内核的首个产品,采用了业界领先的55nm低功耗工艺制程,主频高达72MHz,配备了16KB到64KB的嵌入式闪存及4KB到8KB的SRAM,配合内置的硬件乘法器、除法器和加速单元,在最高主频下的工作性能可达55DMIPS,CoreMark?测试可达154分。

  GD32E230系列广泛应用于工业自动化、电机控制、LED显示、家用电器及电子玩具、智慧城市与智能家居、电子支付、电动车、飞行器、机器人等多种应用场合,并为医疗监控和防疫需求,如额温枪、血氧仪、疫苗运输等紧急需求提供强大保障。

  

  创新是颠覆时代的引擎,正在不断拓展现实与想象的边界。此次斩获双料大奖,再次印证了兆易创新在产品创新上的不懈努力。面对充满无限潜力的未来,兆易创新会一如既往专注研发、聚焦创新,通过更好的产品和服务,迎接半导体产业的广袤机遇。

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