来源 :金融界2024-03-23
2024年3月23日消息,据国家知识产权局公告,北京元六鸿远电子科技股份有限公司申请一项名为“一种提高MLCC切割对位精度的识别结构“,公开号CN117747317A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本发明公开了一种提高MLCC切割对位精度的识别结构,属于电容器技术领域,解决了现有单位面积内,识别结构的图形面积比内电极结构图形面积小,识别结构受到的压力更大、更集中,常出现歪斜现象,若按照歪斜的识别结构切割,切后的生坯芯片会出现内电极偏移的问题,其技术要点是:包括切割识别结构,所述切割识别结构的一侧设置有内电极结构,还包括:陶瓷膜片,所述切割识别结构以及所述内电极结构设置在所述陶瓷膜片一侧,所述陶瓷膜片用于承载切割识别结构以及所述内电极结构,具有增加印刷面积,并采用交错形式,能够避免堆叠时切割识别结构出现歪斜,提高切割对位精度的优点。