来源 :金融界2024-03-19
金融界2024年3月19日消息，据国家知识产权局公告，北京元六鸿远电子科技股份有限公司申请一项名为“一种提高MLCC叠层错位精度的识别结构“，公开号CN117727573A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种提高MLCC叠层错位精度的识别结构，属于电容器技术领域，其技术要点是：所述识别结构设置在电极膜片一侧，所述识别结构关于所述电极膜片对称设置，电极膜片设置在承载机构的一侧，承载机构用于带动所述电极膜片的识别结构移动，电极膜片另一侧设置有两台CCD相机，CCD相机用于定位电极膜片两侧的识别结构；还应包括搬送机构和积层平台，所述搬送机构在所述承载机构和积层平台之间移动，搬送机构在所述承载机构上抓取电极膜片或陶瓷膜片，搬送机构在所述积层平台上堆叠电极膜片或陶瓷膜片，且搬送机构每次抓取电极膜片和堆叠电极膜片的位置固定不变，可以避免搬送机构移动精度造成的影响，从而提高叠层错位精度的优点。