来源 :拓墣产业研究2022-10-25
10月24日，闻泰科技发布关于签署项目投资协议的公告。
据披露，闻泰科技孙公司安世半导体（中国）有限公司与东莞市黄江镇人民政府签署了《安世半导体（中国）有限公司封测厂扩建项目投资协议》。本次项目投资总额约为人民币30亿元。
本次投资的项目为安世半导体（中国）有限公司封测厂扩建项目，项目按照公司的实际业务增长需求分期建设，总投资额约30亿元，分5年投资，所有投资于2027年底前完成。其中，土建工程预计在签署土地出让合同之日起6个月内动工建设，最迟不超过12个月。预计在取得施工许可证之后18个月内竣工，并通过土建工程验收。
据悉，安世半导体东莞封测厂是全球规模最大的小信号组件工厂，年产量超过了500亿颗，支持高功率和中等功率SMD封装以及DFN封装和其他晶圆级封装产品。
闻泰科技表示，本次扩建项目有利于满足公司产能布局的需要，本项目实施投产后，可实现对现有半导体业务产能的有效补充，有利于提升半导体产品规模优势，提高公司长期核心竞争力与持续盈利能力。
安世半导体是全球领先的分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商，有60多年半导体研发和制造经验，总部位于荷兰奈梅亨，晶圆制造工厂在德国、英国，封装测试工厂位于中国东莞、菲律宾卡布尧和马来西亚芙蓉。
其中，安世半导体马来西亚芙蓉后端工厂主要生产小信号MOS和二极管器件，去年12月大幅扩产，扩产后产能将新增250亿颗，产能提升85%，并将在数字化和自动化方面实现迭代。
半导体领域近年发展之势迅猛，安世半导体为了应对大量增长的需求，大幅增加制造能力和研发方面的全球投资。
2021年，安世开设新的全球研发中心并扩大现有研发机构；前端晶圆制造厂实行全新技术的投资及投产；后端封测加强先进技术的能力。
同年7月，安世完成了对英国最大的晶圆厂Newport Wafer Fab的100%收购，有效提升车规级IGBT、MOSFET、Analog和化合物半导体等产品领域的IDM能力。此外，成立独立半导体设备公司ITEC 。
目前，安世半导体正在加速布局第三代半导体产品，成为高效功率氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)的可靠供应商。
氮化镓方面，安世半导体已推出系列GaN FET产品，产品通过车规级认证并应用于新能源汽车领域,是全球少数可提供车规级氮化镓器件的厂商。今年5月，安世宣布与日本京瓷在奥地利萨尔斯堡（Salzburg）的公司Kyocera AVX Components达成合作，目标是开发GaN汽车功率模块。
碳化硅方面，2021年11月，安世半导体推出了工业级650V、10A SiC肖特基二极管，汉堡晶圆厂已部署Aixtron MOCVD设备采用G5 WW C生产技术进行SiC外延批量生产，Newport晶圆厂也拥有SiC生产能力并已安装了化合物半导体联盟的SiC设备正在试产。
今年7月，闻泰科技披露了碳化硅技术研发进展，表示碳化硅二极管产品已经出样。
同时，安世半导体也通过投资、合作等方式深化第三代半导体产业布局，包括如投资基本半导体，与联合汽车电子有限公司、上海汽车电驱动有限公司、汽车工程咨询公司Ricardo合作等。
2021年全年，闻泰科技半导体业务研发投入8.37亿元，进一步加强了在中高压MOSFET、化合物半导体产品SiC和GaN产品、IGBT以及模拟类产品的研发投入。
2022年上半年，闻泰科技半导体业务实现营业收入76.59亿元，同比增长13.72%；业务毛利率为41.97%；实现净利润17.26亿元，同比增长31.72%。