三安光电实现低电阻碳化硅衬底技术突破

　　近日，三安光电旗下湖南三安经三年攻关，成功攻克低电阻碳化硅衬底核心技术。该技术在晶体生长、纯度控制及缺陷抑制等环节取得关键进展，衬底平均电阻率降至11mΩ·cm，较传统量产水平降低50%，层错、位错等关键指标达量产标准，突破行业‘低电阻与高品质难兼顾’瓶颈。目前湖南三安已具备规模化量产能力，可按需供货。 免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。