来源 :证券时报网2024-07-29
7月28日，中意企业家委员会第七次会议开幕式举行，三安光电副董事长、总经理林科闯在开幕式结束后接受记者采访时表示，当前新一轮科技革命和产业变革深入推进，全球产业链的合作与重塑孕育着无限商机。三安光电力争积极把握国际化合作机遇，携手意法半导体投资建设重庆三安意法项目——拟历时5年在重庆建立一个全新8英寸碳化硅芯片合资制造厂，一期工程将于今年年底前通线，这将为公司实现走向国际化目标迈出坚实一步。
这一项目是去年半导体领域最吸引眼球的跨国合资项目之一。意法半导体是全球半导体龙头企业，三安光电拥有中国最大的化合物半导体代工能力，国际半导体龙头牵手中国化合物龙头，这两家企业签约落地生根，在重庆投资200多亿元建厂，是具有战略性、基础性的布局。
2023年6月，三安光电和意法半导体同时官宣在重庆合资建厂，进行8英寸碳化硅（SiC）芯片大规模量产计划，项目预计投资总额达32亿美元（约合人民币228亿元），预计营收将达139亿元人民币，将于2028年全面达产。同时，三安光电独立投资70亿元人民币配套建设一座8英寸碳化硅衬底厂。整个项目投产后，将更好地支持中国的汽车电气化、工业电力和能源等应用日益增长的需求。
据林科闯介绍，目前重庆三安意法项目有条不紊建设中，正处于设备进场安装调试的关键阶段，衬底厂预计8月底将实现点亮通线，安意法预计11月30日将整体通线，一年半时间整体通线这也将创造“国际化碳化硅晶圆厂”新的建设纪录。
据项目现场施工负责人介绍，6月底衬底厂已经举行主设备入场仪式，7月底主厂房机电、洁净进度等完成约70%，综合动力站和综合办公楼等基本施工完成。截至7月底，安意法芯片厂主厂的房屋、动力站等完成85%，综合楼墙体、幕墙完成90%，洁净进度、机电等完成50%，均符合规划通线进度。
“三安光电已在化合物半导体领域深耕二十多年，致力于成为全球碳化硅产业的领导者。我们将竭力以最先进的技术、最高精尖的设备、最有经验的管理团队、最成熟的产业发展经验，以最快速度推动项目早日建成投产。随着重庆项目建成投产，我们有信心继续在专业碳化硅晶圆代工市场占据优势地位。”林科闯说。
谈到未来企业发展和国际化战略的思考，林科闯表示，三安光电希望努力将自身打造为一家具备国际竞争力的半导体厂商，始终聚焦于行业最尖端的技术研究与应用，坚持“技术﹢人才”的科技成果产业化模式，通过技术交流和市场合作，扩充和布局国际市场，提升国际竞争力，为企业加速“出海”构建坚实的“护城河”。