长电科技：关于dram、nand两种产品所需的封测工艺和设备差异介绍

　　长电科技(600584)1）看到企业有布局dram、nand等内存芯片封测，这两种产品所需的封测工艺和设备的差异在哪里？其他专注于某一种产品的封测企业甚至是IC设计企业进入壁垒高吗？2）内存封测和逻辑芯片封测所需的工艺和设备又有什么差异吗？

　　尊敬的投资者，您好。两者在低端市场领域无明显差异，均可以采用传统打线设备实现堆叠和打线互联。在中高端领域两者设备工艺存在差异，需要使用到热压键合等特色设备。同时内存和逻辑芯片封测所需的设备，因为堆叠层数及测试要求不同，存在一定的差异。对于新进入者，在中高端存储封测市场存在明显的壁垒。感谢您的关注与支持。