四会富仕申请极薄铜箔压合方法专利，提高光面铜箔与树脂的结合力

　　据国家知识产权局公告，四会富仕电子科技股份有限公司申请一项名为“一种极薄铜箔压合的方法“，公开号CN117545193A，申请日期为2023年11月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种极薄铜箔压合的方法，包括以下步骤：准备一厚度为3?6μm且两面均为光面的极薄铜箔；在极薄铜箔的一表面上涂覆一层丙三醇；而后将极薄铜箔中涂覆有丙三醇的一面贴附在离型膜上；在极薄铜箔的另一表面上涂覆一层氨基硅烷偶联剂；将极薄铜箔与PP压合，且压合时，使极薄铜箔中涂覆有氨基硅烷偶联剂的一面与PP接触，压合后去除离型膜。本发明方法中，先把极薄铜箔通过丙三醇贴附在离型膜上，利用离型膜作为支撑，在压合时极薄铜箔不会发生皱折，且压合时采用偶联剂来提高光面铜箔与树脂的结合力。