江苏卓胜微电子股份有限公司“保护环结构的制备方法”专利公布

　　近日，江苏卓胜微电子股份有限公司申请的“保护环结构的制备方法”专利公布。摘要显示，本申请涉及一种保护环结构的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底、半导体器件以及第一介质层，所述半导体器件基于所述半导体衬底加工形成，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底以及所述半导体器件；刻蚀所述第一介质层以及所述半导体衬底，形成第一保护环通孔；于所述第一介质层上表面以及所述第一保护环通孔内形成可流动掩膜层；于所述可流动掩膜层表面形成硬掩膜层；对所述硬掩膜层以及可流动掩膜层进行图形化处理，形成图形化掩膜层；基于所述图形化掩膜层，刻蚀所述第一介质层，形成延伸至所述半导体器件的接触孔。本申请既对第一保护环通孔进行有效保护，又保证接触孔图形具有足够高的刻蚀图形精度。