10.5亿！聚灿光电新增GaAs红黄光外延芯片项目

　　3月6日，聚灿光电发布公告，宣布拟变更“Mini/Micro LED芯片研发及制造扩建项目”的部分募集资金（共计8亿元）用途，用于新项目“年产240万片红黄光外延片、芯片项目”的实施。

　　

　　本次变更后，剩余的募集资金将继续实施原有项目，原募投项目的资金缺口部分将由聚灿光电以自筹资金继续投入。

　　公告披露，Mini/Micro LED芯片研发及制造扩建项目总投资15.5亿元，主要建设内容包括厂房建设、购置生产Mini/Micro LED芯片所需设备等，项目建成后形成年产720万片Mini/Micro LED芯片产能。

　　该项目原计划募集资金投入108,155.02 万元，截至2023年12月31日，投入募集资金65.11万元，剩余募集资金108,089.91 万元。

　　现聚灿光电拟变更剩余募集资金内的8亿元投入新项目：新增年产240万片红黄光外延片、芯片项目。

　　经查阅，新增年产240万片红黄光外延片、芯片项目的实施主体为聚灿光电科技（宿迁）有限公司，建设期为 24 个月，项目计划总投资 105,000.00 万元。

　　本项目拟通过使用聚灿光电科技（宿迁）有限公司生产基地厂房，购置 MOCVD 及相关配套设备，形成 GaAs 基外延片的产能。所生产的 GaAs 基外延片将主要用于生产 GaAs 基芯片预计本项目达产后，年均营业收入为 61,330.81 万元，年均利润总额为 11,720.08 万元，年均净利润为 9,962.07 万元。