富满微取得CN220342218U专利，有效减少芯片面积并满足半桥驱动电路中高边供电电路的需求

　　据国家知识产权局公告，富满微电子集团股份有限公司取得一项名为“一种自举二极管替代电路及芯片“，授权公告号CN220342218U，申请日期为2023年7月。

　　专利摘要显示，本实用新型实施例公开了一种自举二极管替代电路及芯片，包括：第一二极管，其第一端与供电电源端连接；N型MOS管，其第一端与第一二极管的第二端连接，其第二端与高边浮动电源端连接；升压模块，其与N型MOS管的栅极连接，升压模块用于维持N型MOS管的栅极电压；第一电容，其第一端与高边浮动电源端连接，其第二端与高边浮动地端连接；其中，高边浮动地端用于与半桥电路的半桥节点连接，半桥电路包括第一开关管和第二开关管，第一开关管和第二开关管形成的共接处作为半桥节点。通过本方案，能够有效减少芯片面积，降低减小自举二极管电路的正向导通压降，更好地满足半桥驱动电路中高边供电电路的需求，同时也能够降低电路中器件的耐压需求。