来源 :深交所互动易2021-11-23
irm2012674问民德电子(300656)高管好，公司在第三代半导体晶圆材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）都有布局，想问一下，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）有什么区别？
2021-11-22 12:17:13
民德电子答irm2012674
您好，感谢您的提问！对于您的问题回复如下：1、碳化硅（SiC）是硅（Si）和碳（C）组成的化合物半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等性质。碳化硅的市场应用领域偏向1000V以上的中高电压范围，具有耐高压、耐高温、高频三大优势，比硅更薄、更轻、更小巧。2、氮化镓（GaN）是镓（Ga）和氮（N）的化合物半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质，化学稳定性好，抗辐照能力强，其应用更偏向于900V以下的消费电子、计算机/服务器电源等领域，同时在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用等方面也有着广阔的前景。3、公司控股子公司广微集成核心技术团队长期从事第三代半导体功率器件的研发及产业化工作。谢刚博士曾参与台积电6英寸氮化镓工艺平台建设和浙江大学4/6寸兼容碳化硅功率器件中试线建设，研究领域覆盖增强型氮化镓功率半导体器件关键工艺及碳化硅激光退火技术等；此外，广微集成与方正微电子合作期间，对碳化硅工艺平台进行了初步验证。感谢您的关注！
2021-11-23 17:04:52