来源 :深信服科技2023-11-15
“深信服EDS存储性能实测与某国际品牌（8300型号）的存储产品持平，80%以上读写模型已领先于该品牌！”
近日，我们在中国集成电路设计业2023年会暨广州集成电路产业创新发展高峰论坛上，公布了这一实测结果。此外，还深入芯片业务场景，分析了芯片设计业务的读写IO特征，并全面展示了EDS在芯片设计领域的核心技术优势。
中国集成电路设计业2023年会暨广州集成电路产业创新发展高峰论坛现场
在芯片设计场景里，EDA前端设计阶段的前仿真验证等环节、后端设计阶段的物理验证及规则检查等环节均需耗时数小时至数天，工艺制程越先进、耗时越长。而存储环境的性能，会直接影响研发团队的工作效率：EDA仿真任务的执行效率，直接影响着研发的生产效率；研发生产效率，则直接影响着产品的流片进度。企业能否在预期的研发周期内顺利流片生产，又影响企业产品的上市周期、交付等经营环节。因此，构建一套高性能存储解决方案对芯片设计的用户来说至关重要。
与此同时，由于半导体行业的特殊性，产业安全是芯片设计行业客户长期发展过程中需要重视的。而保障基础架构产品供应安全的前提，是采用自主创新的存储产品。
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2000核算力负载！
只需三节点！深信服EDS轻松应对混合负载
在实际的业务场景中，深信服EDS仅需使用3台通用X86设备，就可以承载超过2000核的算力负载，提供数十万的小文件OPS能力、大文件的读写性能达到6GB/s。经过实测，在芯片设计场景（同等硬件配置下），深信服EDS 80%以上的读写模型超过某国际品牌的高端存储型号。
这意味着，无论是前端设计阶段还是后端设计阶段产生的混合负载请求，深信服EDS都能轻松承载。
性能对比
性能对比
多活MDS，结合流水线工作模式提高元数据访问效率
采用多活MDS服务+流水线工作模式，可充分发挥分布式架构优势，充分利用多机头性能提升小文件性能，支撑亿级小文件并发访问场景。同时通过自研的矩阵式压缩算法，元数据压缩比可达7:1，可全量缓存百亿规模元数据，提升存储性能表现。
全局IO动态整合，减少空间浪费，提升写入性能
小IO先排序、聚合成大块IO后，顺序写入持久化存储层，消除小文件小IO带来的空间放大及性能损耗问题，充分发挥硬盘介质顺序读写性能。
此外，深信服EDS基于分布式架构设计，可通过增加节点数量来实现性能的线性增长。为芯片设计场景不可预测的算力增长情况，提供可预测的性能拓展方案。
在成本效益方面，深信服EDS采用通用硬件设计，每TB的存储成本远低于传统专用存储厂商，同时，用户后续维保续费时，也无需在高溢价硬件的基础上支付高额溢价，有效降低数据存储成本。
值得一提的是，深信服EDS打造了从远程办公桌面、计算调度软件、再到高性能存储底座的基础架构产品矩阵，并且已经深度适配了多家C86及国产芯片品牌硬件，这也有助于保障产业安全发展。
未来，深信服EDS将继续发挥高性能的优势，为芯片企业提供可靠而高效的存储底座，助力中国芯片产业高速发展！