扬杰科技申请新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法专利，进一步降低了器件的正向导通压降

　　2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法“，公开号CN117316984A，申请日期为2023年10月。

　　专利摘要显示，一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的背面加厚金属、背面欧姆接触金属、碳化硅衬底、碳化硅外延层和N型注入区；所述N型注入区的顶面设有伸入碳化硅外延层的终端沟槽和若干间隔设置的源区沟槽；所述源区沟槽的槽底设有向下延伸的P型注入区；所述终端沟槽的顶面设有伸入碳化硅外延层的P型主结和若干间隔设置的P型分压环；所述碳化硅外延层上设有覆盖P型主和若干P型分压环的场氧层；本发明在不增加单颗芯片面积和工艺复杂程度的基础上，进一步降低了器件的正向导通压降。