扬杰科技申请碳化硅二极管器件及其制备方法专利，降低器件外延层的导通电阻，进一步提高器件通流能力

　　2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅二极管器件及其制备方法“，公开号CN117316986A，申请日期为2023年10月。

　　专利摘要显示，一种碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体器件。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底、碳化硅外延层、正面电极金属；所述碳化硅外延层的顶面设有若干向下延伸的P区沟槽，所述P区沟槽内设有P型区；若干所述P型区之间设有N区沟槽；所述P型区内部设有欧姆接触金属；所述欧姆接触金属和碳化硅外延层上设有肖特基结接触金属；所述肖特基结接触金属的上方设有正面电极金属；所述碳化硅衬底和碳化硅外延层的导电类型均为N型。本发明可以通过形成两层不同掺杂浓度的外延层，来降低器件外延层的导通电阻，进一步提高器件通流能力。