扬杰科技申请一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法专利，提升SIC功率器件的短路鲁棒性

　　据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法“，公开号CN117316983A，申请日期为2023年10月。

　　专利摘要显示，一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法。涉及功率半导体技术领域。包括以下步骤：步骤001，提供一种N型重掺杂类型的衬底，即为N+型SiC半导体衬底，掺杂浓度为360~400um，掺杂浓度为1e19 cm。