在全球LED显示行业发展史上，自1995年成立以来，利亚德写下的每一笔都是浓墨重彩的，也揭示着不同节点下的“行业关键词”。
1998年，利亚德自主研发出国内第一块LED全彩显示产品，这一笔揭开着全彩LED显示时代的序幕；
2010年，利亚德原创并命名LED小间距技术，这一笔昭示着小间距LED显示的到来；
2020年，利亚德率先推进Micro LED技术和产品，这一笔吹响Mini/Micro LED显示时代的号角；再到2022年，利亚德全球发布新一代Micro LED显示技术利亚德黑钻系列，正式标志着将Micro LED引入通用时代。
利亚德走的每一步，似乎都在“剧透”着LED显示产业的未来方向，代表着行业的指向标。
然而，创新者是永不会自我满足且止步不前的。
在2023年上半年，成立28年“全球视效科技领创者”利亚德再次实现自我超越，围绕“MIP”与“量子点”技术展开了一轮新的技术革命。在实践应用和发展趋势方面，利亚德也有着新的思考与实践。
借此契机，我们希望以年中复盘的形式，推出利亚德步调下的「行业关键词」系列报道，预见显示产业潮水的流向。
本篇为利亚德「行业关键词」系列报道的第一篇。
01
MLED厚积薄发，MIP后来居上
在超高清显示浪潮的推动下，Micro LED凭借低能耗、高亮度、高对比度及高可靠性的特性，满足了各种像素密度和各种尺寸显示的需求，正在成为推动显示技术变革变革和构建新型显示产业格局的重要支撑。
高工产研LED研究所（GGII）统计数据显示，中国针对Mini/Micro LED等领域的投资呈现火热状态，继2020年Mini/Micro LED等领域新增投资约430亿元及2021年Mini/Micro LED等领域新增投资750亿元之后，2022年投向Mini/Micro LED等领域新增投资超过了700亿元人民币。
随着Micro LED逐步走向起量的这一关键时间节点，巨量转移良率、基板、驱动以及后期检测返修等诸多技术瓶颈已经成为Micro LED产业化进程中的关键难题。
在封装端，目前针对Micro LED芯片采用的封装工艺主要有MIP和COB两种技术路线，两者的拉锯战已正在进行当中。
相较于已经在MLED赛道上奔跑多年的COB封装，从去年下半年才可开始兴起的MIP封装，可以说是妥妥的“后生仔”。
然后在短短的一年时间里，MIP就做到了与COB并驾齐驱，甚至是后来居上，有何独特魅力所在？
高工LED分析认为，MIP技术的本质则是Micro LED和分立器件的有机结合，即将大面积的整块显示面板分开封装，这样更小面积下其良率控制将得到极大提升，同时测试环节从芯片后移至封装段，将有效降低成本提升速率。
根据GGII的调研了解，目前占据Micro LED成本最为重要的是芯片和转移修复。其中芯片成本占到了接近30%。
Micro LED芯片降本则需要进一步切割更小尺寸的芯片，从这一角度来看，MIP无疑是更符合未来Micro LED的降价趋势。
当下，国内的封装大厂和显示屏大厂针对MIP和COB已经分化成为多极，而利亚德则选择了落脚MIP封装技术阵营。
利亚德认为，MIP解决了COB大面积控制良率难度高、一致性差等问题，并在性能与成本上具有竞争力。
该技术采用Micro LED晶片全倒装无引线设计，与传统技术相比，具有高稳定性、高可靠性（解决毛毛虫问题）、亮度提高2.5倍，对比度提高3倍，均匀度好，能耗度低等产品优势。
但值得注意的是，利亚德的MIP也分为两类，一类是集成像素封装，就是通常所说的Nin1，涵盖了从P0.4到P1.5的Micro LED显示；第二类就是独立像素封装，涵盖了0808、0606、0404以及未来的0202。
产能方面，利亚德以上两种类型的MIP都由无锡利晶量产，而目前利晶正推进2023年扩产计划，第一季度已完成1400KK产能建制，2023年底预计产能突破2000KK，达到规模效应以降低MIP生产成本的目的。
在应用方面，LED直显技术进入Micro LED时代是大势所趋，MIP针对大尺寸Micro LED规模化量产的兼容度，以及终端显示屏厂商的接受程度，MIP封装路线都有着独特的优势。
同时，在更小间距、更大尺寸的终端显示应用场景，MIP能规避良率、墨色一致性、均匀度、检测返修、成本等多方面的核心瓶颈，成为Micro LED显示屏生产的最理想选择。
在技术颠覆性创新方面，利亚德自己便是自己最好的“对手”。与2022年利亚德的MIP封装技术相比，2023年利亚德的MIP封装技术再上新高度，并逐步走向成熟。
一是在原有MIP Nin1封装方案的基础上增加了可以兼容更多间距的单像素MIP方案；
二是在保障原移转技术的同时，进一步开展制程优化和良率改善工作，将直通测试良率由94%提高至95.5%；
三是进一步进行激光巨量移转及焊接的应用，在满足原有转移速度的同时，转移焊接后精准度99.999%，进一步提高了整体产品可靠性。
今年，利亚德董事长李军多次在业内大会上表示，Micro LED作为一项代表未来趋势的新型显示技术，不断创新突破，应用前景广阔，商用化进程加速，行业迎来了最佳的投资机遇期。
在利亚德眼里，MIP是Micro LED时代下封装技术的最优解，押宝MIP封装技术的利亚德可以说是信心满满，步伐也是坚定不移。
02
量子点横空出世，搅动行业一池春水
在今年四月的发布上，利亚德宣布首发全球首款4K 162寸QLED直显大屏。
该产品是首款将量子点用于直显的QLED显示屏，其发布标志着一项新的显示技术诞生。
量子点技术横空出世，如同平地惊雷起，再次搅动Micro LED的一池春水。
低成本高效率的新型Micro LED显示技术被认为是下一代高清显示与全彩色显示的实现途径之一。
在过去的近20年中Micro LED技术从出现到爆发，取得了诸多令人瞩目的研究成果。
但在其材料生长、器件设计与制备、封装与驱动等环节仍存在不少科学技术问题需要解决，如结合量子点实现全彩色显示、器件精准键合与巨量转移、电流型有源寻址与灰度等级实现、坏点检测技术与修复技术等。
量子点作为一种新兴的发光材料备受关注，并被作为实现全彩化Micro LED显示的重要途径。
与传统在有机物胶体中的量子点膜或量子点光刻胶不同，纳米孔量子点（NPQD）技术直接在LED本身的氮化镓结构上制成纳米孔结构，以氮化镓作为天然的量子点载体，在维持原有LED结构下实现了量子点原位封装。
得益于量子点本身的尺寸效应，其受激激发的光谱可从紫外区覆盖到红外区，且谱线较窄，波长均一性更好，可降低LED的分bin成本，有利于实现更多基色的LED显示和更高的色纯度；
同时，NPQD LED将量子点分散到纳米孔中，相较于涂覆在LED表面和采用量子点薄膜的QD LED转换效率更高；
此外，NPQD LED红光芯片波长可以控制在正负0.2nm的高度一致性，可以提升显示的均匀性；由于NPQD红光LED由GaN蓝光LED转换而来，因此LED芯片的半功率视角与蓝光光一致，解决了RGB芯片半功率视角不一致导致的屏幕色偏问题，带来全新的色彩体验效果。
除性能以外，在成本方面，因为不需要额外加入胶体结构，可直接在Mini LED和Micro LED上实现原位的量子点封装，使得面板厂商在使用和生产中不需要做过多的额外的产线及设备调整。
在应用方面，通过量子点技术制成的QLED显示屏，由于采用红光LED替代传统AlGaInP LED，避免了AlGaInP红光LED材料的脆弱特性，芯片制程良率更高，因而终端显示屏的性价比更高；
另外，NPQD红光LED由GaN基LED转换而来，其在小尺寸下效率远高于AlGaInP LED，可弥补AlGaInP红光LED在尺寸微缩化的过程中，材料缺陷和侧壁漏电的所导致的LED的光效随着芯片尺寸的缩小明显下降这一缺陷，极大地提升了NPQD LED在小尺寸Micro LED显示领域的应用空间，如在AR/VR和COG等应用。
对于整个产业来说，利亚德的量子点技术所取得的突破都是具有里程碑式意义的。
NPQD?Micro LED芯片技术将大大缩小市场现有Micro LED芯片尺寸，提升屏幕性能，降低量产成本。
今后，应用该项量子点技术，利亚德将能够为市场提供更优质、更具性价比的产品，真正让LED显示走进民用、家用市场。