如何破解Micro LED巨量转移良率、基板、驱动以及后期检测返修等诸多技术瓶颈已经成为Micro LED产业化进程中的关键难题。
MIP封装技术正在成为部分头部企业的选项。
高工LED注意到，包括国星光电、利亚德、晶台股份、芯映光电等都在布局MIP封装技术路线，以求在工艺技术尚未迭代的情况下，加快Micro LED进入产业化大道。
超高清显示目标下，Micro LED凭借低能耗、高亮度、高对比度及高可靠性的特性，满足了各种像素密度和各种尺寸显示的需求，正在成为推动显示技术变革变革和构建新型显示产业格局的重要支撑。
高工产研LED研究所（GGII）预测，到2025年，全球Micro LED市场规模将超过35亿美元。2027年全球Micro LED市场规模有望突破100亿美元大关。
诸多头部企业布局的MIP封装技术或可成为Micro LED加速走出“实验室”，迈向更大规模的产业化应用的重要途径之一。
按照GGII的分析，MIP封装技术的本质是Micro LED和分立器件的有机结合，即将大面积的整块显示面板分开封装，这样更小面积下其良率控制将得到极大提升，同时测试环节从芯片后移至封装段，将有效降低成本提升速率。
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头部企业争相布局
晶台股份董事长龚文曾在公开场合表示，鉴于Micro LED的广阔前景，晶台已投入布局MIP新型封装架构，为除COB技术路线以外升级换代做准备，以便用户可利用原有生产线设备打造新产品。
而在此前，已经有国星光电、芯映光电、利亚德等企业布局MIP封装技术路线。
“MIP(Micro LED in Package)是一种基于Micro LED的新型封装架构，其脱胎于久经历练的王牌小间距显示产品，也是国星光电将Micro LED产品快速切入新型显示市场的一把利刃。”国星光电方面解释道。
高工LED了解到，国星光电基于扇出封装技术思路，通过自主开发的巨量转移方法，采用黑化基板与高光提取封装路线打造了全新MIP器件，大幅提高器件光电性能，通过将引脚电极放大，使其匹配当前机台设备。
除了前述成本优势外，MIP还具有高亮度、低功耗、兼容性强、可混BIN提高显示一致性等优点。
利亚德研发中心技术主管马莉博士也在此前的一次会议上表示，基于对大尺寸Micro LED显示技术的理解，利亚德发展了自己的Micro LED技术，利亚德采用的就是MIP技术。
但值得注意的是，利亚德的MIP也分为两类，一类是集成像素封装，就是通常所说的Nin1，涵盖了从P0.4到P0.9的Micro LED显示；第二类就是独立像素封装，涵盖了0808、0606、0404以及未来的0202。
据高工LED调研了解，利亚德以上两种类型的MiP都由无锡利晶量产。
而芯映光电则是坚定地走MIP路线的代表。
芯映光电认为，MIP封装技术解决了Micro技术瓶颈的诸多痛点。
多条技术路线并举也是众多头部企业的选择。
高工LED了解到，目前已经有多家封装和显示屏企业跟进布局MIP封装技术路线。
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MIP的核心在于降本和提升效率
被众多头部企业争相布局的MIP到底有何独到优势？
从成本角度讲，MIP封装技术可以不大幅增加设备，能够使用当前机台设备进行生产，这样就大幅降低了企业的高昂的产线设备端投入。
同时，MIP技术将原先需要在芯片端进行的测试后移至封装后，从芯片测试改为对引脚的点测，效率得到大幅提升的同时也进一步降低了成本。
按照国星光电的说法，MIP封装还更易于后期的检测和修复。
从产品性能上看，MIP显示模组还具有高黑占比、特殊光学设计、兼容性强和应用性强等优势。
国星光电MIP显示模组外观图
“MIP显示模组一致性高，黑占比超99％，同时其水平视角极大（≥174°）。”国星光电方面表示，MIP封装技术还能兼容当前设备机台，可完成测试分选、易检测修复，更易于将Micro LED应用于终端市场。
巨量转移的良率一直是制约Micro LED发展的难题之一。
但如果采用MIP方案，对巨量转移的良率也不再那么敏感。
“曾经业界认为巨量转移良率需要达到6个9才能应用，即在一个4K屏里面，8个不良转移才能被接受。”马莉博士认为，若采用MiP，因为package本身封装良率就在95%- 98%左右。那巨量转移的良率究竟是99%还是99.9%还是4个9，就不再是其不能应用的原因。
GGII认为，现阶段，MIP技术更能够及时满足微间距LED显示快速增长的市场需求，或将有更多的企业布局这一技术路线。