乾照光电申请半导体器件及其制作方法专利

　　2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，厦门乾照光电股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法“，公开号CN117542932A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，其可通过溶液腐蚀或干法刻蚀或激光切割或图形化电镀工艺，以实现所述导电衬底在晶圆端的预先分割。基于此，在后续制备出子半导体单元阵列后，无需再进行切割和劈裂，进而避免了后续导电衬底切割过程中机台昂贵、切割效率低下、晶圆翘曲、切边拉丝、金属颗粒污染等一系列问题。