来源 :深交所互动易2021-06-02
cninfo718500问朗科科技(300042)您好！媒体报道国外研发出“超级闪存”，仅需几纳秒的时间即可写入数据，这使其比商用闪存快数千倍。新型存储器结构由硒化铟（indium selenide）半导体层，六方氮化硼（hexagonal boron nitride）绝缘层和位于二氧化硅和硅晶圆顶部的多个导电石墨烯层组成。新存储器不仅速度快了大约5000倍，而且可以存储多个数据位，而不仅仅是零和一。请问：公司是否有“超级闪存”相关技术储备？
2021-05-31 20:14:38
朗科科技答cninfo718500
感谢您的关注。公司会积极关注存储类技术的发展。
2021-06-02 18:52:22