五方光电取得CN108333661B专利，降低制造成本

　　2024年1月3日消息，据国家知识产权局公告，湖北五方光电股份有限公司取得一项名为“基于硼掺杂氢化硅的低角度偏移滤光片及其制备方法“，授权公告号CN108333661B，申请日期为2018年3月。

　　专利摘要显示，本发明基于硼掺杂氢化硅的低角度偏移滤光片及其制备方法，滤光片包括基板、第一镀膜层和第二镀膜层，基板设置于第一镀膜层和第二镀膜层之间，第一镀膜层由内而外依次由硼掺杂氢化硅层与二氧化硅层交替沉积，第一镀膜层的最内层为硼掺杂氢化硅层，最外层为二氧化硅层，第二镀膜层由内而外依次由硼掺杂氢化硅层与二氧化硅层交替沉积，最内层为硼掺杂氢化硅层，最外层为二氧化硅层。本发明提供的基于硼掺杂氢化硅的低角度偏移滤光片及其制备方法，在大入射角下，滤光片的波长漂移量降低，其中心波长角度偏移降至12nm内，同样的光谱带宽下，可实现大的视场，同样的视场角下，具有更小的通带带宽，提高近红外成像系统的信噪比，降低制造成本。