光迅科技申请光电二极管及其制造方法专利

　　2023年12月26日消息，据国家知识产权局公告，武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“光电二极管及其制造方法“，公开号CN117293214A，申请日期为2022年6月。

　　专利摘要显示，本发明实施例提供光电二极管及其制造方法，所述光电二极管包括：衬底；N型电极接触层，位于所述衬底的第一表面上；吸收层、帽层依次层叠于所述衬底上的第二表面上；所述第一表面和所述第二表面互为相反面；第一扩散区和第二扩散区，均位于所述帽层中；第一半导体接触层和第一P型电极接触层，均部分覆盖所述第一扩散区的表面；第一P型电极接触层包覆所述第一半导体接触层；第二半导体接触层和第二P型电极接触层，均部分覆盖所述第二扩散区的表面；第二P型电极接触层包覆所述第二半导体接触层；扩散阻挡层，位于所述帽层上，与第一P型电极接触层一起未完全覆盖所述第一扩散区表面，与所述第二P型电极接触层一起完全覆盖所述第二扩散区表面。