光迅科技申请雪崩光电二极管专利，可以降低电容，提高带宽

　　2023年11月24日消息，据国家知识产权局公告，武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“一种雪崩光电二极管及其制作方法“，公开号CN117117012A，申请日期为2022年5月。

　　专利摘要显示，本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种雪崩光电二极管及其制作方法，该雪崩光电二极管在半绝缘衬底上至少堆叠有P型接触层、基础功能层以及N型接触层，基础功能层和N型接触层之间还设置有N型电场控制层和I型边缘电场缓冲层，其中，半绝缘衬底与P型接触层的侧周形成第一台阶，P型接触层与基础功能层的侧周形成第二台阶，基础功能层、N型电场控制层和I型边缘电场缓冲层的侧周依次覆盖有第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层。本发明可以降低电容，提高带宽。另外，在工艺上，可以解决腐蚀过程中钻蚀的问题，可以提高整个芯片的可靠性。