福晶科技申请真零级半波片专利，降低吸收率，提升键合牢固度

　　据国家知识产权局公告，福建福晶科技股份有限公司申请一项名为“一种应用于266nm的真零级半波片及其加工方法”，公开号CN117388974A，申请日期为2023年11月。

　　专利摘要显示，一种应用于266nm的真零级半波片及其加工方法，该方法为：选取融石英基底和石英晶体波片，将其双抛至指定厚度，在波片的其中一个面镀光胶膜，将基底和波片进行特殊处理，并将波片的镀膜面与基底的其中一个面均进行活化处理后进行光胶组合；然后再进行高温深化键合；在键合后以基底为基准光胶固定至光胶板上；对波片的外表面进行研磨抛光，加工至266nm波长真零级的厚度，下盘后进行清洗，再在基底和波片的外表面镀上266nm增透膜，制备得到266nm超薄光胶真零级半波片。本发明能够降低吸收率，提升键合牢固度。