来源 :深交所互动易2024-06-24
irm101553527问华天科技(002185)HBM供不应求的核心在良率问题。目前HBM存储芯片的整体良率在50%-65%，HBM良率的高低主要受到其堆叠架构复杂性的影响，涉及到多层次的内存结构和作为各层连接之用的直通TSV技术。工艺上简单说就是不仅需要架构上的堆叠，还需要加压，并且保持整体状态处于平衡。因此存储大厂纷纷加码HBM先进封装，提升HBM良率并降低功耗。华天科技目前完成基于TVS技术的3D DRAM封装技术开发了吗？谢谢！
2024-06-13 09:25:39
华天科技答irm101553527
公司已经完成了基于TVS工艺的3D DRAM封装技术开发。谢谢！
2024-06-24 17:43:18