来源 :金融界2024-02-12
据国家知识产权局公告，苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺“，授权公告号CN110061066B，申请日期为2019年4月。
专利摘要显示，一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺，步骤包括：在硅片衬底表面形成第一二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除第一二氧化硅薄膜层的一第一区域；对第一区域进行第一掺杂形成N+区；将第一二氧化硅薄膜层去除，清洗后形成第二二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除第二二氧化硅薄膜层的一第二区域，与第一区域间隔设置；对第二区域进行第二掺杂形成P+区；在N+区或P+区的边缘区域开沟槽；将第二二氧化硅薄膜层去除，清洗并形成多晶硅钝化复合薄膜层；在沟槽中形成玻璃钝化层；将第一、第二区域表面的多晶硅钝化复合薄膜层去除，裸露N+区及P+区；在N+区及P+区的表面沉积金属层形成金属电极。本发明的电极同侧，体积小成本低且电性能优异。