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苏州固锝(002079)内幕信息消息披露
 
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苏州固锝取得一种四颗二极管集成芯片的制造工艺专利,该专利技术能实现在硅片衬底中隔离出四间隔块

http://www.chaguwang.cn  2024-02-12  苏州固锝内幕信息

来源 :金融界2024-02-12

  据国家知识产权局公告,苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种四颗二极管集成芯片的制造工艺“,授权公告号CN110060934B,申请日期为2019年4月。

  专利摘要显示,一种四颗二极管集成芯片的制造工艺;步骤包括:在硅片衬底上、下表面均形成第一二氧化硅薄膜层;刻蚀并去除上、下表面第一二氧化硅薄膜层的隔离带区域;对隔离带区域进行第一掺杂形成第一P+区,在上下方向贯通形成隔离墙,在硅片衬底中隔离出四间隔块;形成第二二氧化硅薄膜层;刻蚀并去除第二二氧化硅薄膜层上的四周边区域;对四周边区域进行第二掺杂形成N+区;形成第三二氧化硅薄膜层;刻蚀并去除第三二氧化硅薄膜层上的四第二间隔区域;对第二间隔区域进行第一掺杂形成第二P+区;在第二P+区的边缘区域开沟槽;形成多晶硅钝化复合薄膜层;在沟槽中形成玻璃钝化层;裸露出N+区以及第二P+区;在N+区及第二P+区的表面沉积金属层形成金属电极。

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