来源 :国际太阳能光伏网2024-05-30
信息显示，横店东磁公布一项专利授权，专利名为“TOPCon太阳能电池及其制备方法和应用”，申请公布号为CN118099270A，申请公布日期为2024年5月28日。
专利摘要显示，本发明涉及TOPCon太阳能电池及其制备方法和应用。该制备方法包括：采用VHF?PECVD依次沉积隧穿氧化层和掺杂微晶硅层，再进行退火处理；退火处理步骤中，在真空条件下将T1以5℃/min10℃/min升至T2，再以10℃/min15℃/min升至T3，并于T3温度下推进，然后降温，得到隧穿氧化层钝化接触结构，T1为150℃250℃，T2为300℃500℃，T3为600℃800℃，150≤T2T1≤250，250≤T3T2≤400。该制备方法使隧穿氧化层中针孔结构具有合适的密度和孔径，使隧穿氧化层钝化接触结构保持钝化效果同时，具有优异的防漏电性能，提高TOPCon电池的转换效率。