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横店东磁(002056)内幕信息消息披露
 
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横店东磁申请扩散制结工艺专利,能够在降低PN结表面磷浓度的同时增加结深

http://www.chaguwang.cn  2024-03-22  横店东磁内幕信息

来源 :金融界2024-03-22

  2024年3月22日消息,据国家知识产权局公告,横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“扩散制结工艺、太阳能电池及其制备方法“,公开号CN117747698A,申请日期为2022年9月。

  专利摘要显示,本发明涉及一种扩散制结工艺、太阳能电池及其制备方法。该扩散制结工艺主要包括通源沉积、推结、降温、PSG沉积反应、后氧化以及降温回压,通源沉积的次数在两次以上,每次通源沉积的过程中,大氮的体积流量为600sccm?800sccm,小氮的体积流量为550sccm?760sccm,氧气的体积流量为500sccm?700sccm,压力为70mBar?80mBar,其中,第一次通源沉积的温度为780℃?790℃,通源沉积的温度依次递增,且递增的幅度为5℃?15℃;推结选自有氧推结,温度为860℃?880℃,且氧气的体积流量为50sccm?300sccm,大氮的体积流量为500sccm?1000sccm;在降温的步骤之后,还包括补源沉积的步骤。该扩散制结工艺能够在降低PN结表面磷浓度的同时增加结深,从而使单晶硅太阳能电池具有更加优异的转换效率,且避免了电池片漏电的风险。

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