中科三环申请永磁体局部区域退磁专利，实现永磁体局部退磁

　　2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，北京中科三环高技术股份有限公司申请一项名为“永磁体的局部区域的退磁方法、装置及磁体”的专利，公开号CN 118888256 A，申请日期为2024年9月。

　　专利摘要显示，本申请提供了一种永磁体的局部区域的退磁方法、装置及磁体。该退磁方法，包括：将退磁线圈靠近所述永磁体的局部区域放置，其中所述退磁线圈包括上线圈和下线圈，所述上线圈靠近所述局部区域的上方，所述下线圈靠近所述局部区域的下方；以及向所述退磁线圈通入电流，以产生与所述局部区域的磁化方向呈预定角度的退磁场，其中所述上线圈和所述下线圈所产生的磁场方向相同。