海信家电申请半导体装置和半导体装置的制造方法专利，提升半导体装置的工作性能

　　金融界2024年3月5日消息，据国家知识产权局公告，海信家电集团股份有限公司申请一项名为“半导体装置和半导体装置的制造方法“，公开号CN117650161A，申请日期为2023年10月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种半导体装置和半导体装置的制造方法，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；第一导电类型的场截止层；第二导电类型的集电极层；第一导电类型的第一发射极层，集电极层周向环绕设置于第一发射极层的外侧；第二导电类型的环层，环层与集电极层和第一发射极层的交界处相对应，环层内设置有多个沟槽部；第二导电类型的阱层，阱层设置于环层两侧且至少部分地与集电极层和第一发射极层相对应，阱层对应集电极层的部分设置有多个沟槽部。由此，在保证半导体装置的耐压能力的前提下，提高第二半导体器件类型区域的导通压降，提升半导体装置的工作性能。