海信家电申请半导体装置专利，提高半导体装置的可靠性

　　金融界2024年3月5日消息，据国家知识产权局公告，海信家电集团股份有限公司申请一项名为“半导体装置“，公开号CN117650163A，申请日期为2023年10月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；第二导电类型的耐压环，耐压环设置于漂移层对应半导体装置的终端区的部分，耐压环的上表面构成漂移层上表面的一部分；场截止层，场截止层设置于漂移层的下表面；集电极层，集电极层设置于场截止层的下表面，集电极层内设置有发射极层，发射极层位于集电极层对应终端区的部分。由此，通过在集电极层对应终端区的位置设置发射极层，这样不仅可以使半导体装置反向导通，而且还可以提高半导体装置的面积利用率，可以防止半导体装置的整体面积增大，从而在实现半导体装置反向导通的同时，有利于降低半导体装置的功耗，提高半导体装置的可靠性。