海信家电申请半导体装置专利，提高半导体装置的集成度

　　2024年3月5日消息，据国家知识产权局公告，海信家电集团股份有限公司申请一项名为“半导体装置“，公开号CN117650165A，申请日期为2023年10月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；第二导电类型的阱区；介质层，介质层设置于阱区的上表面；栅极焊盘，栅极焊盘设置于介质层上表面；场截止层，场截止层设置于漂移层的下表面；第二导电类型的集电极层，集电极层设置于场截止层的下表面，集电极层的至少部分设置有发射极层，发射极层位于半导体装置的快恢复二极管区域中，发射极层与栅极焊盘上下对应。由此，通过在集电极层对应栅极焊盘的下方设置发射极层，这样不仅可以使半导体装置反向导通，而且还可以提高半导体装置的集成度，从而在实现半导体装置反向导通的同时，缩小半导体装置的尺寸。