海信家电申请半导体装置专利，提高半导体装置的工作热稳定性

　　金融界2024年1月10日消息，据国家知识产权局公告，海信家电集团股份有限公司申请一项名为“半导体装置“，公开号CN117374120A，申请日期为2023年9月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；第二导电类型的体区；沟槽部；第一导电类型的发射极区，发射极区设置于体区上表面且位于相邻两个沟槽部之间，在俯视观察时，沟槽部在第二方向上延伸，相邻两个沟槽部之间设置有多个在第二方向上间隔设置的发射极区，在从第二方向的中间向两侧延伸的方向上，相邻两个发射极区之间的距离逐渐减小，其中，第一方向和第二方向相互垂直。由此，这样可以优化发射极区的设置位置，使发射极区的设置位置与半导体装置不同位置的散热能力相匹配，可以提升半导体装置的散热均匀性，保证半导体装置结温一致，提高半导体装置的工作热稳定性。